GFPURE是全球为数不多的能够推出硼去除CEDI的公司之一，主要针对高端半导体行业应用，采用离子膜和树脂封装技术的有针对性设计，硅和硼泄漏控制在优秀水平，可以替代传统的普通混床和普通CEDI，大大提高了精加工系统的使用寿命，降低系统运营成本。它是GFPURE UPW系列CEDI产品的升级，也融入了GFPURE的专利技术。

阳极采用铂涂层设计，寿命≥10年

专为硅和硼去除而设计的离子交换膜

二次胶注入双O形圈密封技术，防止泄漏

采用优秀的单室交换率的专利阶梯式供水技术

直流电压（V,DC）

0-500

钠离子（Na+）去除率

硅（SiO2）去除率

（包括CO2和Si）

建议进水PH

产品电阻率（MΩ.cm）

流量（L/H）

>99%

>99%

<10us/cm

7.5-9.0

≥ 17

最大：5000L

>99%

氯化物（CL-）去除率

极性水流量（L/H）

回收率（%）

操作温度（°F）

TOC去除率

硼去除率

直流电流（A,DC）

90-95

41-113

>95%

>99%

1.0-6.0

80-120L

最小：1000L

进水当量电导率

二次RO产水

纯净水系统

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CEDI (连续电极去离子)

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